MURT40040R Siliziumdioden mit sehr schneller Wiederherstellung

GeneSiC Semiconductor MURT40040R Siliziumdioden mit sehr schneller Wiederherstellung bieten hohe Stromstoßfähigkeiten und eine Spitzensperrspannung von bis zu 400V. GeneSiC MURT40040R Siliziumdioden kommen in einem 3-Tower-Gehäuse und weisen einen Dauerstrom von 400A auf. Diese GeneSiC Semiconductor Siliziumdioden haben eine Betriebstemperatur von -40 bis 175ºC.

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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Vr - Sperrspannung
If - Durchlassstrom
Typ
Konfiguration
Vf - Durchlassspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
GeneSiC Semiconductor Diodenmodule 600V 400A Si Super Fast Recovery
Datenblatt
3Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Screw Mount Three Tower Iso 600 V 400 A Super Fast Recovery Dual-Common Cathode 1.7 V - 55 C + 150 C Bulk
GeneSiC Semiconductor Diodenmodule 400V 400A Super Fast Recovery
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 40
Mult.: 40

SMD/SMT Three Tower 400 V 400 A Super Fast Recovery 1.35 V - 55 C + 150 C MURT400 Bulk