C3M™-SiC-MOSFETs im TOLL-Gehäuse

Wolfspeed SiC-MOSFETs C3M™ im TOLL-Gehäuse bieten eine viel niedrigere Temperaturabhängigkeit des Einschaltwiderstands als Standard-Silizium-MOSFETs. Die MOSFETs verfügen über hervorragende Schaltgeschwindigkeiten und einen geringen Leitungsverlust, was entscheidend ist, um einen hohen Wirkungsgrad bei hoher Leistung für Netzteile der nächsten Generation zu erreichen. Die SiC-MOSFETs sind für Hochleistungsapplikationen in der Leistungselektronik optimiert, darunter Stromversorgungen für Unternehmen, Server und Telekommunikation, Aufladung für Elektrofahrzeuge, Energiespeicher und Batteriemanagementsysteme.

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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-263-7, Industrial
Datenblatt
1.014Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 24 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 25mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial
Datenblatt
850Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2.000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 77 A 25 mOhms - 8 V, + 19 V 2.3 V 111 nC - 40 C + 175 C 326 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 45mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial
Datenblatt
1.906Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2.000

SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 650 V 49 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 59 nC - 40 C + 175 C 164 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TOLL,T&R, Industrial
Datenblatt
1.193Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2.000

SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 79 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 131 W Enhancement