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FF600R12KE4PBOSA1

Name: Infineon FF600R12KE4PBOSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FF600R12KE4PBOSA
Price: 145.3 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-FF600R12KE4PBOSA

Herst.- Nr.:

FF600R12KE4PBOSA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

IGBT-Module 1200 V, 600 A dual IGBT module

Datenblatt:

FF600R12KE4PBOSA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	IGBT-Module
RoHS:
Produkt:	IGBT Silicon Modules
Konfiguration:	Dual
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	1.2 kV
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.75 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	600 A
Kriechstrom Gate-Emitter:	400 nA
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Verpackung:	Tray
Marke:	Infineon Technologies
Produkt-Typ:	IGBT Modules
Serie:	Trenchstop IGBT4 - E4
Verpackung ab Werk:	8
Unterkategorie:	IGBTs
Technologie:	Si
Handelsname:	TRENCHSTOP
Artikel # Aliases:	FF600R12KE4P SP001603612

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504409100
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

FF600R12KE4P Dual-IGBT-Modul mit 1.200 V, 600 A

Das Dual-IGBT-Modul FF600R12KE4P mit 1200 V und 600 A von Infineon bietet geringe Schaltverluste bei niedriger V_CEsat. Dieses Bauteil ist robust und verfügt über hohe Kriech- und Luftstrecken. Der FF600R12KE4P verfügt über die höchste Leistungsdichte, eine isolierte Grundplatte und ein Standardgehäuse mit zuvor aufgebrachtem Wärmeleitmaterial. Dieses Bauteil eignet sich hervorragend für Hochleistungswandler, Motorantriebe, UPS-Systeme und Windturbinen. Das FF600R12KE4P ist gemäß UL1557 und E83336 UL/CSA-zugelassen.