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EPC2305

Name: EPC EPC2305
Brand: EPC
SKU: 65-EPC2305
Price: 7.58 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

65-EPC2305

Herst.- Nr.:

EPC2305

Herst.:

EPC

Beschreibung:

GaN FETs EPC eGaN FET,150 V, 2.2 milliohm typ at 5 V, QFN 3 x 5mm

Lebenszyklus:

Neu bei Mouser

Datenblatt:

EPC2305 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	7,58 €	7,58 €
	5,17 €	51,70 €
	3,80 €	380,00 €
	3,76 €	1.880,00 €
	3,29 €	3.290,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	3,19 €	9.570,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	EPC
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	QFN-7
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	150 V
Id - Drain-Gleichstrom:	133 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.2 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	6 V, - 4 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	22 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	eGaN FET
Marke:	EPC
Konfiguration:	Single
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Produkt:	Power Transistor
Produkt-Typ:	GaN FETs
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Transistorart:	1 N-Channel
Gewicht pro Stück:	31,200 mg

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Datenblatt

EPC2305 Datenblatt (PDF)

Konformitätscodes

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290040
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Malaysia
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

Efficient Power Conversion (EPC) EPC2305 Enhancement-Mode Gallium Nitride (GaN) Power Transistor is available in a low-inductance 3mm x 5mm QFN package with an exposed top for excellent thermal management. The EPC2305 features 150V drain-source breakdown voltage (continuous) V_DS and 2.2mΩ typical and 3mΩ maximum drain-source on resistance R_DS(on). This power resistor from EPC provides efficient operation in many topologies, thanks to the ultra-low capacitance and zero reverse recovery (Q_RR) of the eGaN^® FET. Typical applications for the EPC2305 include phones, notebooks, gaming PCs, power tools, home robotics, e-mobility, and solar.