RV5x040 Kleinsignal-MOSFETs

ROHM Semiconductor RV5x040 Kleinsignal-MOSFETs bieten einen niedrigen Einschaltwiderstand in einem kleinen DFN1616-Gehäuse. Der RV5x040 verfügt über einen Dauersenkenstrom von ±4,0 A und eine Verlustleistung von 1,5 W. Die RV5x040 Kleinsignal-MOSFETs von ROHM sind für Schalt- und Lastschalter-Applikationen ausgelegt.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
ROHM Semiconductor MOSFETs DFN1616 P-CH 20V 4A
Datenblatt
5.976Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si SMD/SMT DFN-1616-8 P-Channel 1 Channel 20 V 4 A 85 mOhms - 8 V, 0 V 1 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFETs DFN1616 P-CH 12V 4A
Datenblatt
5.960Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si SMD/SMT DFN-1616-8 P-Channel 1 Channel 12 V 4 A 62 mOhms - 8 V, 0 V 1 V 16 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel