DRV8106S-Q1EVM

Texas Instruments
595-DRV8106S-Q1EVM
DRV8106S-Q1EVM

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Beschreibung:
IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung Automotive half-brid ge smart gate drive

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Texas Instruments
Produktkategorie: IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung
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Evaluation Modules
Gate Driver
4.9 V to 37 V
DRV8106S-Q1
DRV8106S
Marke: Texas Instruments
Zum Gebrauch mit: Automotive Applications
Schnittstellen-Typ: SPI
Maximale Betriebstemperatur: + 125 C
Minimale Betriebstemperatur: - 40 C
Produkt-Typ: Power Management IC Development Tools
Verpackung ab Werk: 1
Unterkategorie: Development Tools
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TARIC:
8473302000
USHTS:
8473301180
ECCN:
EAR99

DRV8106S-Q1EVM Gate-Treiber-Evaluierungsmodul

Das Texas Instruments DRV8106S-Q1EVM Gate-Treiber-Evaluierungsmodul (EVM) ist zur Evaluierung des DRV8106S-Q1 integrierten, Automotive-qualifizierten gebürsteten DC-Motortreibers ausgelegt. Der DRV8106S-Q1 ist ein hochintegrierter Halbbrücken-Gate-Treiber, der High-Side- und Low-Side-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs ansteuern kann. Das Bauteil erzeugt ordnungsgemäße Gate-Drive-Spannungen über eine integrierte Verdopplungs-Ladungspumpe für die High-Side-MOSFETs und einen Linearregler für die Low-Side-MOSFETs. Das DRV8106S-Q1EVM von Texas Instruments verfügt über eine Halbbrücke, die aus zwei n-Kanal-MOSFETs besteht, die Motoren bidirektional bis zu 15 A RMS, 20 A Spitzenstrom ansteuern. Das Evaluierungsmodul wird von einer einzelnen Stromversorgung für die analoge Leistung und von der USB-Leitung für die digitale Leistung betrieben, die für eine externe Versorgung angepasst werden kann. Eine negative Batterie-Verpolschutzschaltung von 18 V mit einem PI-Filter der mit 20 A RMS eingestuft ist, wird zur Reinigung des Stromversorgungseingang und zum Schutz gegen falsche Batterieverbindungen bereitgestellt.