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FGH60N60SMD

Name: onsemi FGH60N60SMD
Brand: onsemi
SKU: 512-FGH60N60SMD
Price: 6.2 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

512-FGH60N60SMD

Herst.- Nr.:

FGH60N60SMD

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

IGBTs 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2

Datenblatt:

FGH60N60SMD Datenblatt

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	IGBTs
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-247
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	600 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.9 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	120 A
Pd - Verlustleistung:	600 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	FGH60N60SMD
Verpackung:	Tube
Marke:	onsemi
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Kriechstrom Gate-Emitter:	400 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	IGBTs
Gewicht pro Stück:	6,390 g

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Datenblatt

FGH60N60SMD Datenblatt

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

FGH60N60SMD, FGH40N60SMD Serien 600V Field Stop IGBTs

Fairchild Semiconductors FGH60N60SMD und FGH40N60SMD Serie 600V Field Stop IGBTs bieten die beste Leistung für Solar Umrichter, USV, SMPS, IH, und PFC Anwendungen in denen niedrige Leitungs- und Schaltverluste erforderlich sind. Fairchild Semiconductors FGH60N60SMD und FGH40N60SMD Serie 600V Field Stop IGBTs haben jeweils 60A und 40A Kollektor-Nennstrom. Beide IGBT Serien bieten eine maximale Übergangstemperatur von 175ºC, einen positiven Temperaturkoeffizienten für einfachen Parallelbetrieb, Hochstrom fähig, niedrige Sättigungsspannung, hohe Eingangsimpedanz, schnelle Schaltfähigkeit, und enge Parameterverteilung.

Field Stop IGBTs

onsemi Field Stop (FS) IGBTs offer optimum performance with low conduction and switching losses. These IGBTs feature high current handling capability, positive temperature coefficient, tight parameter distribution, and a wide safe operating area. The FS IGBTs come with increased breakdown voltage that improves reliability where negative ambient temperatures are present. As the temperature decreases the IGBT and FRD blocking voltage also decreases that makes the devices particularly beneficial for PV solar inverters used in colder climates. onsemi IGBTs provide fast and soft recovery that reduces power dissipation and achieves low turn-on and turn-off losses.