GANSPIN612 Halbbrücken-GaN-Motortreiber
Der Halbbrücken-GaN-Motortreiber GANSPIN612 von STMicroelectronics ist ein fortschrittliches Power-System-in-Package (SiP), das zwei GaN-Transistoren im Enhancement-Modus in einer Halbbrückenkonfiguration integriert, die von einem hochmodernen Hochspannungs-Hochfrequenz-Gate-Treiber angesteuert werden. Die integrierten GaN-Leistungshalbleiter weisen einen RDS(ON)-Wert von 270 mΩ und eine Drain-Source-Durchbruchspannung von 650 V auf, während die integrierte Bootstrap-Diode problemlos die High-Side des eingebetteten Gate-Treibers versorgen kann.
