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STD12N60DM2AG

Name: STMicroelectronics STD12N60DM2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD12N60DM2AG
Price: 2.92 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STD12N60DM2AG

Herst.- Nr.:

STD12N60DM2AG

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in

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Datenblatt:

STD12N60DM2AG Datenblatt (PDF)

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	2,92 €	2,92 €
	1,90 €	19,00 €
	1,32 €	132,00 €
	1,10 €	550,00 €
	1,04 €	1.040,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0,955 €	2.387,50 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	10 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	440 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	14.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	110 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Handelsname:	MDmesh
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	9.5 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	8 ns
Serie:	STD12N60DM2AG
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	30 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	15 ns
Gewicht pro Stück:	330 mg

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Datenblatt

STD12N60DM2AG Datenblatt (PDF)

PCN

Konformitätscodes

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

STD12N60DM2AG n-Kanal-Leistungs-MOSFET

Der STMicroelectronics STD12N60DM2AG n-Kanal-Leistungs-MOSFET ist ein Teil der MDmesh™ DM2 schnellen Freilaufdioden. Dieser automotive n-Kanal-Leistungs-MOSFET bietet eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung (Q_rr) und Erholungszeit (t_rr) in Kombination mit niedrigem R_DS(on). Der STD12N60DM2AG Leistungs-MOSFET verfügt über eine niedrige Gate-Ladung, eine niedrige Eingangskapazität, niedrigen On-Widerstand, hohe dv/dt- Robustheit und Zener-Schutz. Dieser Leistungs-MOSFET eignet sich für die meisten anspruchsvollen, hocheffizienten Wandler und ist ideal für Brückentopologien und phasenverschobene ZVS-Wandler.