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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Verpackung/Gehäuse Schnittstellen-Typ Speichergröße Organisation Datenbus-Weite Zugangszeit Versorgungsspannung - Min. Versorgungsspannung - Max. Betriebsversorgungsstrom Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Serie Verpackung
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM 463Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

BGA-48 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 85 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM 943Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 85 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM 1.441Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM 266Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 125 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM 270Auf Lager
810erwartet ab 17.06.2026
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA 0 C + 70 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM 95Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM 189Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 50Mhz 512K x 8 SPI
1.133erwartet ab 05.11.2026
Min.: 1
Mult.: 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 85 C MR20H40 Tray
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

BGA-48 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 85 C MR2A08A Reel
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 85 C MR2A08A Reel
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 696
Mult.: 348

BGA-48 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA 0 C + 70 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

BGA-48 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA 0 C + 70 C MR2A08A Reel
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 125 C MR2A08A Reel
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA 0 C + 70 C MR2A08A Reel
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

BGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

BGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR2A16A Reel
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR2A16A Reel
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 696
Mult.: 348

BGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

BGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR2A16A Reel
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 696
Mult.: 348

BGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

BGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR2A16A Reel
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR2A16A Reel
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR2A16A Reel