MJD2873 NPN 2-A-Hochleistungs-Bipolartransistor mit 50 V

Die MJD2873 NPN 2-A-Hochleistungs-Bipolartransistoren mit 50 V von Nexperia sind in einem oberflächenmontierbaren (SMD) Power-DPAK-TO-252-Kunststoffgehäuse (SOT428C) verfügbar. Diese Bauteile bieten eine hohe thermische Verlustleistungsfestigkeit, reduzierte PCB-Anforderungen und eine hohe Energieeffizienz aufgrund der niedrigen Wärmeentwicklung. Der MJD2873 von Nexperia verfügt über eine niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung und schnelle Schaltgeschwindigkeiten. Typische Applikationen für diese Bauteile sind Leistungsmanagement, Lastschalter, Linearmodus-Spannungsregler, Hintergrundbeleuchtungen mit Konstantstromantrieb, Motorantriebe und Ersatz für Relais. Der bipolare Transistor MJD2873-Q ist nach AEC-Q101 qualifiziert.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Konfiguration
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC)
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Emitter-Basisspannung VEBO
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Pd - Verlustleistung
Bandbreitengewinnungsprodukt fT
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Qualifikation
Verpackung
Nexperia Bipolartransistoren - BJT SOT428 50V 2A NPN HI PWR BJT
Datenblatt
3.545Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 2.500
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 2 A 50 V 6 V 300 mV 15 W 65 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Bipolartransistoren - BJT SOT428 50V 2A NPN HI PWR BJT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 3 A 50 V 6 V 300 mV 1.6 W 65 MHz - 55 C + 150 C AEC-Q101 Reel