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MJD2873J

Name: Nexperia MJD2873J
Brand: Nexperia
SKU: 771-MJD2873J
Price: 0.72 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-MJD2873J

Herst.- Nr.:

MJD2873J

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

Bipolartransistoren - BJT SOT428 50V 2A NPN HI PWR BJT

Datenblatt:

MJD2873J Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0,722 €	0,72 €
	0,44 €	4,40 €
	0,348 €	17,40 €
	0,288 €	28,80 €
	0,219 €	219,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0,194 €	485,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorpolung:	NPN
Konfiguration:	Single
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC):	2 A
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	50 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	6 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	300 mV
Pd - Verlustleistung:	15 W
Bandbreitengewinnungsprodukt fT:	65 MHz
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Nexperia
Kollektorgleichstrom:	2 A
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	120 at 0.5 A, 2 V
DC Stromverstärkung hFE max.:	360 at 0.5 A, 2 V
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Artikel # Aliases:	934662266118

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Datenblatt

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PCN

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TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MJD2873 NPN 2-A-Hochleistungs-Bipolartransistor mit 50 V

Die MJD2873 NPN 2-A-Hochleistungs-Bipolartransistoren mit 50 V von Nexperia sind in einem oberflächenmontierbaren (SMD) Power-DPAK-TO-252-Kunststoffgehäuse (SOT428C) verfügbar. Diese Bauteile bieten eine hohe thermische Verlustleistungsfestigkeit, reduzierte PCB-Anforderungen und eine hohe Energieeffizienz aufgrund der niedrigen Wärmeentwicklung. Der MJD2873 von Nexperia verfügt über eine niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung und schnelle Schaltgeschwindigkeiten. Typische Applikationen für diese Bauteile sind Leistungsmanagement, Lastschalter, Linearmodus-Spannungsregler, Hintergrundbeleuchtungen mit Konstantstromantrieb, Motorantriebe und Ersatz für Relais. Der bipolare Transistor MJD2873-Q ist nach AEC-Q101 qualifiziert.

BJT und MJD Bipolartransistoren

Nexperia BJT- und MJD-Bipolartransistoren bieten eine hohe thermische und elektrische Leistung. Die hochwertige, hochzuverlässige MJD-Bipolartransistor-Produktfamilie mit Automotive-Qualifizierung (AEC-Q101) und Verbraucher-/Industrie-Qualifizierung mit einer Leistung von 2 A bis 8 A umfasst siebzehn Bauteile in NPN- und PNP-Ausführungen von 45 V bis 100 V. Diese bekannten Bauelemente im Industriestandard-Footprint ergänzen das bestehende Portfolio an Hochleistungs-Bipolartransistoren in LFPAK-Gehäusen von Nexperia und erweitern das Gesamtangebot an diskreten Bipolartransistoren des Unternehmens weiter.’’ Zu den Applikationen gehören LED-Automotivebeleuchtung, Dimmen der Hintergrundbeleuchtung in LCD-Displays, Linear- Spannungsregler, Relaisersatz, Motorantriebe, Laserdrucker und MOSFET-Treiber.