Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

iS20M028S1P

Name: iDEAL Semiconductor iS20M028S1P
Brand: iDEAL Semiconductor
SKU: 25-IS20M028S1P
Price: 3.79 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

25-IS20M028S1P

Herst.- Nr.:

iS20M028S1P

Herst.:

iDEAL Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs SuperQ power MOSFET 200 V, 25m? max, normal threshold level in TO-220 package

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

iS20M028S1P Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu iDEAL Semiconductor iS20M028S1P

Auf Lager: 1.839

Lagerbestand:: 1.839 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 12 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-,-- €

Erw. Preis:

-,-- €

Vorauss. Zolltarif:

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	3,79 €	3,79 €
	2,48 €	24,80 €
	1,93 €	193,00 €
	1,62 €	810,00 €
	1,47 €	1.470,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	iDEAL Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	200 V
Id - Drain-Gleichstrom:	40 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	25 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.6 V
Qg - Gate-Ladung:	26.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	100 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	SuperQ
Verpackung:	Tube
Marke:	iDEAL Semiconductor
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	US
Abfallzeit:	11.3 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	16 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	1.9 ns
Serie:	200V
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	24.7 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8.5 ns

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

iS20M028S1P Datenblatt (PDF)

Product Catalogs

Aerospace and Defense (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

iS20M028S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

iDEAL Semiconductor iS20M028S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET is engineered for SMPS and high-efficiency motor drives. The iDEAL Semiconductor iS20M028S1P MOSFET delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package. Featuring best-in-class R_DS(on), Q_SW, and E_OSS, this MOSFET minimizes heat dissipation at both full and partial loads. Applications include motor control, boost converters, SMPS control FETs, and secondary side synchronous rectifiers.