NSVT5551MR6T1G

Name: onsemi NSVT5551MR6T1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NSVT5551MR6T1G
Price: 0.78 EUR
Availability: InStock

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Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NSVT5551MR6T1G

Herst.- Nr.:

NSVT5551MR6T1G

Herst.:

onsemi

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TSOT-23-6
Transistorpolung:	NPN
Konfiguration:	Dual
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	160 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	180 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	6 V
Pd - Verlustleistung:	700 mW
Bandbreitengewinnungsprodukt fT:	300 MHz
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	NSVT5551M
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Kollektorgleichstrom:	600 mA
Land der Bestückung:	MY
Land der Verbreitung:	MY
Ursprungsland:	MY
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	80 at 1 mA, 5 V
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors