SIA433EDJ-T1-GE3

Vishay Semiconductors
781-SIA433EDJ-GE3
SIA433EDJ-T1-GE3

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

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Preis (EUR)

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Gurtabschnitt / MouseReel™
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0,525 € 5,25 €
0,353 € 35,30 €
0,296 € 148,00 €
0,254 € 254,00 €
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0,229 € 687,00 €
0,21 € 1.260,00 €
0,202 € 1.818,00 €
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Vishay
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SC-70-6
P-Channel
1 Channel
20 V
12 A
15 mOhms
- 12 V, 12 V
1.2 V
75 nC
- 55 C
+ 150 C
19 W
Enhancement
TrenchFET, PowerPAK
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Vishay Semiconductors
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 3.5 us
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 35 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 0.6 us
Serie: SIA
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 10 us
Typische Einschaltverzögerungszeit: 0.3 us
Artikel # Aliases: SIA433EDJ-GE3
Gewicht pro Stück: 41 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

TrenchFET®-MOSFETs

Vishay/Siliconix TrenchFET®-MOSFETs sind mit der p- und n-Kanal-Siliziumtechnologie ausgestattet, wodurch diese Bauteile die besten Einschaltwiderstands-Spezifikationen der Branche, wie beispielsweise 1,9 mΩ im PowerPAK® SO-8-Gehäuse, bieten. Diese MOSFETs verfügen über einen Einschaltwiderstand, der nur halb so hoch ist wie der Einschaltwiderstand der nächstbesten Bauteile auf dem Markt. Die n-Kanal-MOSFETs bieten einen Drain-Source-Durchschlagspannungsbereich von 40 V bis 250 V, eine Verlustleistung von 375 W und eine ThunderFET-Leistung (je nach Modell). Die p-Kanal-MOSFETs verfügen über bis zu 2 Kanäle, eine SMD- und Durchsteckmontage und einen Drain-Source-Durchschlagspannungsbereich von 12 V bis 200 V.

SiA433EDJ 20-V-p-Kanal-TrenchFET®-MOSFET der Gen. III

Der Vishay/Siliconix SiA433EDJ 20-V-p-Kanal-TrenchFET®-MOSFET der Gen. III bietet einen niedrigen Einschaltwiderstand. Der SiA433EDJ MOSFET wird mit einer Betriebstemperatur von -55 °C bis 150 °C betrieben. Dieser Leistungs-MOSFET ist als Einzel-Konfiguration in der PowerPAK®-SC-70-Gehäusegröße erhältlich. Der SiA433EDJ MOSFET bietet einen Einschaltwiderstand für eine große Auswahl von Applikationen. Funktionen umfassen einen integrierten ESD-Schutz mit einer Zenerdiode. Zu den Applikationen gehören tragbare Geräte wie z. B. Lastschalter, Batterieschalter und Ladeschalter.

TrenchFET® Gen III p-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die TrenchFET® Gen III p-Kanal-Leistungs-MOSFETs von Vishay/Siliconix bieten einen niedrigen Einschaltwiderstand, geringe Spannungsabfälle, einen höheren Wirkungsgrad und eine längere Batterielaufzeit. Diese Leistungs-MOSFETs sind in zahlreichen Gehäusegrößen erhältlich. Die p-Kanal-MOSFETs bieten On-Widerstandswerte für eine große Auswahl von Applikationen. Zu den Applikationen gehören Lastschalter, Adapterschalter, Batterieschalter, DC-Motoren und Ladeschalter.

Industrie-Leistungslösung

Vishay bietet eines der branchenweit größten Portfolios an Halbleiter- und passiven Bauelementen für Industrie-Stromversorgungsapplikationen. Das Produktportfolio von Vishay für Industrie-Stromversorgungen umfasst Leistungs-MOSFETs, Leistungs-ICs, Gleichrichter, Dioden, Kondensatoren, Widerstände und Induktivitäten.