NVTFS010N10MCL 53-A-Automotive-Leistungs-MOSFET mit 100 V

Der NVTFS010N10MCL 53-A-Automotive-Leistungs-MOSFET mit 100 V ist für den Einsatz in Fahrzeuganwendungen AEC-Q101-qualifiziert und PAAP-fähig. Dieses n-Einkanal-Bauteil bietet einen niedrigen Drain-Quellen-Einschaltwiderstand, eine niedrige Gate-Ladung und eine niedrige Kapazität zur Reduzierung der Treiberverluste. Der NVTFS010N10MCL Leistungs-MOSFET wird für ein kompaktes Design in einem 8-Pin-WDFN-Gehäuse mit kleinem Footprint angeboten und ist wahlweise mit benetzbaren Flanken oder einer verbesserten optischen Inspektion verfügbar.

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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Verpackung
onsemi MOSFETs PTNG 100V LL IN
Datenblatt
37.748Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500
Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 100 V 57.8 A 10.6 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 22 nC - 55 C + 175 C 3.2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFETs PTNG 100V LL IN
Datenblatt
1.387Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 100 V 57.8 A 10.6 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 22 nC - 55 C + 175 C 3.2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel