600V Super-Junktion (SJ) MOSFETs

Die 600 V Super-Junction MOSFETs (SJ) von ROHM Semiconductor wurden entwickelt, um dem steigenden Bedarf an kleineren, effizienteren Stromversorgungen in einer Vielzahl von Anwendungsbereichen gerecht zu werden. Diese SJ-MOSFETs wurden für die R60xxXNx Baureihe und die PrestoMOS™ R60xxWNx Baureihe als neue 600V SJ-MOSFETs konzipiert. Die 600V SJ MOSFETs bieten kompakte Gehäuseoptionen mit niedrigem Profil, die eine ausgezeichnete Dissipation bieten. Damit eignen sich die Bauteile für Anwendungen, bei denen Platzersparnis und eine höhere Leistungsdichte gefragt sind, darunter Stromversorgungen für KI-Server und Industrieanlagen.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
ROHM Semiconductor MOSFETs Nch 600V 154m, TOLL, Power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000
Si SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 185 mOhms 30 V 5 V 25 nC - 55 C + 150 C 182 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFETs Nch 600V 127m, TOLL, Power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000
Si SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 153 mOhms 30 V 5 V 35 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFETs Nch 600V 95m, TOLL, Power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000
Si SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 600 V 35 A 114 mOhms 30 V 5 V 46 nC - 55 C + 150 C 347 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFETs Nch 600V 80m, TOLL, Power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000
Si SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 96 mOhms 30 V 5 V 48 nC - 55 C + 150 C 348 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFETs Nch 600V 68m, TOLL, Power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000
Si SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 600 V 49 A 82 mOhms 30 V 5 V 58 nC - 55 C + 150 C 448 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFETs Nch 600V 57m, TOLL, Power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000
Si SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 600 V 55 A 69 mOhms 30 V 5 V 67 nC - 55 C + 150 C 521 W Enhancement Reel