600V Single N-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor 600V Single N-channel power MOSFETs incorporate super-junction technology and operate within the -55°C to 150°C temperature range. These MOSFETs are Pb-free, RoHS-compliant, and halogen-free. Typical applications include lighting, industrial, and switching applications.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
Taiwan Semiconductor MOSFETs 600V, 30A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs, TOLL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 4.000
Mult.: 2.000
Rolle: 2.000

Si SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 110 mOhms 20 V 6 V 55 nC - 55 C + 150 C 231 W Enhancement Reel
Taiwan Semiconductor MOSFETs 600V, 21A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 6.000
Mult.: 3.000
Rolle: 3.000

Si SMD/SMT PDFN-4 N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 160 mOhms 30 V 6 V 42 nC - 55 C + 150 C 173 W Enhancement Reel
Taiwan Semiconductor MOSFETs 600V, 20A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs, PDFN88
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 6.000
Mult.: 3.000
Rolle: 3.000

Si SMD/SMT PDFN88-4 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 180 mOhms 30 V 6 V 36 nC - 55 C + 150 C 169 W Enhancement Reel
Taiwan Semiconductor MOSFETs 600V, 16A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs, PDFN88
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 6.000
Mult.: 3.000
Rolle: 3.000

Si SMD/SMT PDFN88-4 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 285 mOhms 30 V 6 V 24 nC - 55 C + 150 C 164 W Enhancement Reel