62 mm C- Baureihe TRENCHSTOP IGBT7-Module

Infineon Technologies 62 mm C Baureihe TRENCHSTOP™ IGBT7 Module bieten Hochleistungsdichte und einen positiven Temperaturkoeffizient. Dank der TRENCHSTOP IGBT7 Technologie und des Standardgehäuses eignen sich die Module ideal für Laufwerke, UPS Systeme und Nutzfahrzeuge in der Landwirtschaft. Die Infineon 62 mm C Baureihe TRENCHSTOP IGBT7-Module sind für Industrieapplikationen qualifiziert.

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Menge RoHS ECAD Model Produkt
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Kriechstrom Gate-Emitter
Verpackung/Gehäuse
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
Infineon Technologies IGBT-Module 62 mm C-Series module with TRENCHSTOP IGBT7 and emitter controlled 7 diode
Datenblatt
30Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Module Half Bridge 1.2 kV 1.5 V 800 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 450 A common emitter IGBT module
Datenblatt
29Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 450 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1700 V, 600 A dual IGBT module
Datenblatt
24Auf Lager
8erwartet ab 26.06.2026
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 800 A dual IGBT module
Datenblatt
30Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Module Half Bridge 1.2 kV 1.5 V 800 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 800 A dual IGBT module
Datenblatt
28Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Module Half Bridge 1.2 kV 1.5 V 800 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 450 A dual IGBT module
Datenblatt
32erwartet ab 26.06.2026
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 450 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 600 A dual IGBT module
Datenblatt
32erwartet ab 26.06.2026
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray