Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

IGOT65R055D2AUMA1

Name: Infineon IGOT65R055D2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGOT65R055D2AUMA
Price: 5.93 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IGOT65R055D2AUMA

Herst.- Nr.:

IGOT65R055D2AUMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

GaN FETs HV GAN DISCRETES

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

IGOT65R055D2AUMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Infineon Technologies IGOT65R055D2AUMA1

Auf Lager: 730

Lagerbestand:: 730 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 26 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-,-- €

Erw. Preis:

-,-- €

Vorauss. Zolltarif:

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	5,93 €	5,93 €
	4,34 €	43,40 €
	3,51 €	351,00 €
	3,12 €	1.560,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 800)
	2,67 €	2.136,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Transistorpolung:	HEMT
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	66 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.6 V
Qg - Gate-Ladung:	6.6 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	83 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Produkt:	Power Transistors
Produkt-Typ:	GaN FETs
Verpackung ab Werk:	800
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Transistorart:	1 N-Channel
Typ:	GaN Power Transistor

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

IGOT65R055D2AUMA1 Datenblatt (PDF)

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolGaN™ 2. Gen. 650-V-Leistungstransistoren

Die 650V-Leistungstransistoren CoolGaN ™ der 2. Generation von Infineon Technologies verfügen über eine hocheffiziente GaN-Transistortechnologie (Galliumnitrid) für die Leistungsumwandlung in einem Spannungsbereich von bis zu 650 V. Die GaN-Technologie von Infineon bringt das E-Mode-Konzept mit hohen Stückzahlen in der End-to-End-Produktion zur Marktreife. Diese bahnbrechende Qualität gewährleistet höchste Standards und bietet das zuverlässigste Betriebsverhalten. Die Leistungstransistoren CoolGaN™ der 2. Generation mit 650 V verbessern im Enhancement-Modus den Wirkungsgrad und die Leistungsdichte durch ultraschnelles Schalten.

CoolGan™ 600 V E-Modus-Leistungstransistoren

Die CoolGan™ 600V E-Modus-Leistungstransistoren (Enhancement Mode, e-mode) von Infineon Technologies ermöglichen einfachere Halbbrücken-Topologien mit schnellen Ein- und Ausschaltgeschwindigkeiten. Die robusten und zuverlässigen Transistoren sind in hochleistungsfähigen SMD-Gehäusen erhältlich, um die GaN-Vorteile voll auszuschöpfen. Die Transistoren zeichnen sich durch einen hohen Wirkungsgrad, eine hohe Leistungsdichte, eine höhere Betriebsfrequenz sowie eine reduzierte EMI aus. Zu den Applikationen gehören Telekommunikations-/Datenkommunikations-/Server-SNT, drahtloses Laden, Ladegeräte und Adapter.