Die 600 V CoolMOS P7 Leistungstransistoren

Die 600 V CoolMOS P7 Leistungstransistoren von Infineon sind Geräte der 7. Generation und verwenden eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs. Die 600V sind entsprechend dem Superjunction-Prinzip (SJ) entworfen und wurden erstmals von Infineon Technologies entwickelt. Der 600 V CoolMOS P7 kombiniert die Vorteile eines schnell schaltenden SJ-MOSFET mit hervorragender Benutzerfreundlichkeit. Die 600 V P7 verfügen über eine sehr niedrige Überschwingungstendenz, eine hervorragende Robustheit der Body-Diode gegen harte Kommutierung und hervorragende elektronische Entladungskapazität. Durch die äußerst niedrigen Leitungs- und Schaltverluste werden Schaltapplikationen noch wirkungsvoller, kompakter und kühler.
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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Datenblatt
1Auf Lager
500erwartet ab 03.12.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 214 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 53 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Datenblatt
7.000erwartet ab 27.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 214 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 18 nC - 40 C + 150 C 24 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Datenblatt
10.118Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 305 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 41 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
2.820Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 49 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 67 nC - 55 C + 150 C 164 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Datenblatt
1.490Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 300 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 13 nC - 40 C + 150 C 22 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Datenblatt
1.900Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 305 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 41 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
1.000Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 81 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Datenblatt
1.000erwartet ab 13.05.2027
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 305 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 41 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 69 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 51 nC - 55 C + 150 C 129 W Enhancement CoolMOS Tube