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FM25V01A-G

Name: Infineon FM25V01A-G
Brand: Infineon Technologies
SKU: 727-FM25V01A-G
Price: 5.52 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

727-FM25V01A-G

Herst.- Nr.:

FM25V01A-G

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

F-RAM FRAM

Datenblatt:

FM25V01A-G Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	4,93 €	246,50 €
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Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

FM25V01A-GTR

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

6,37 €

Min:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	F-RAM
RoHS:
Speichergröße:	128 kbit
Schnittstellen-Typ:	SPI
Maximale Taktfrequenz:	25 MHz, 40 MHz
Organisation:	16 k x 8
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-8
Versorgungsspannung - Min.:	2 V
Versorgungsspannung - Max.:	3.6 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Verpackung:	Tube
Marke:	Infineon Technologies
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Montageart:	SMD/SMT
Betriebsversorgungsspannung:	3.3 V
Produkt-Typ:	FRAM
Verpackung ab Werk:	970
Unterkategorie:	Memory & Data Storage
Gewicht pro Stück:	540 mg

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Datenblatt

FM25V01A-G Datenblatt (PDF)

Statement Regarding the RoHS Compliance of Cypress Products

Konformitätscodes

TARIC:: 8542329000
CNHTS:: 8542329090
CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
KRHTS:: 8542321040
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Vereinigte Staaten
Herstellungsland:: Thailand
Land der Verbreitung:: Vereinigte Staaten

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

FM25V01A serieller 128-Kbit-(SPI)-F-RAM

Der Cypress Semiconductor FM25V01A serielle 128-Kbit-(SPI)-F-RAM ist ein nichtflüchtiger Speicher, der ein hochentwickeltes ferroelektrisches Verfahren verwendet. Der FM25V01A ist in der Leistung vergleichbar mit RAM und liefert Datenerhaltung für 151 Jahre. Der F-RAM bietet Schreibvorgänge bei hohen Geschwindigkeiten und hat eine sehr schnelle serielle Peripherie-Schnittstelle (SPI). Dies erhöht die Hochgeschwindigkeits-Schreibkapazität der F-RAM-Technologie. Verbraucht geringe Leistung und hat einen Spannungsbetrieb von 2V bis 3,6V. FM25V01A ist in der Lage, 100 Millionen Mal mehr Schreibzyklen als EEPROM zu unterstützen.