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DMTH6005 n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFETs
Diodes Inc. DMTH6005 n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFETs sind zur Reduzierung des Einschaltwiderstands (RDS(ON)) bei gleichzeitiger hervorragender Schaltleistung ausgelegt. Die DMTH6005 MOSFETs bieten maximal 5,5 mΩ bei VGS = 10 V RDS(ON), eine Drain-Source-Durchschlagspannung von 60 V und eine vollständig ungeklemmte induktive Schaltung. Diese MOSFETs sind für +175 ºC eingestuft und eignen sich dadurch für Umgebungen mit hohen Temperaturen. Der DMTH6005LPSQ ist für Fahrzeuganwendungen AEC-Q101 qualifiziert und unterstützt PPAP. Zu den Applikationen für DMTH6005 MOSFETs gehören Hochfrequenzschaltung, Synchrongleichrichtung und DC/DC-Wandler.