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FGY40T120SMD

Name: onsemi FGY40T120SMD
Brand: onsemi
SKU: 512-FGY40T120SMD
Price: 11.53 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

512-FGY40T120SMD

Herst.- Nr.:

FGY40T120SMD

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

IGBTs IGBT, 1200 V, 40 A Field Stop Trench

Datenblatt:

FGY40T120SMD Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	IGBTs
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	1.2 kV
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.8 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 25 V, 25 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	80 A
Pd - Verlustleistung:	882 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	FGY40T120SMD
Verpackung:	Tube
Marke:	onsemi
Kollektorgleichstrom Ic max.:	40 A
Kriechstrom Gate-Emitter:	+/- 400 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	450
Unterkategorie:	IGBTs
Gewicht pro Stück:	7,629 g

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Datenblatt

FGY40T120SMD Datenblatt (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Field Stop IGBTs

onsemi Field Stop (FS) IGBTs offer optimum performance with low conduction and switching losses. These IGBTs feature high current handling capability, positive temperature coefficient, tight parameter distribution, and a wide safe operating area. The FS IGBTs come with increased breakdown voltage that improves reliability where negative ambient temperatures are present. As the temperature decreases the IGBT and FRD blocking voltage also decreases that makes the devices particularly beneficial for PV solar inverters used in colder climates. onsemi IGBTs provide fast and soft recovery that reduces power dissipation and achieves low turn-on and turn-off losses.

FGY40T120SMD Field-Stop-Trench-IGBTs

Die Field-Stop-Trench-IGBTs von onsemi nutzen innovative Field-Stop-Trench-Technologie. Diese neue Baureihe von Field-Stop-Trench-IGBTs bietet die optimale Leistung für hart schaltende Applikationen. Zu diesen Applikationen gehören Solar-Umrichter, UPS, Schweißer und PFC.
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1200V Field Stop Trench IGBTs

onsemi 1200V Field Stop Trench IGBTs feature minimized conduction losses by having a VCE(SAT) of 1.8V, lower than previous fast switching NPT IGBTs. The 1200V field stop trench IGBTs target hard switching industrial applications such as solar inverters, uninterruptible power supplies (UPS), and welders. The 1200V field stop trench IGBT series operates at high switching frequencies, and is 100% tested for clamped inductive switching at current levels of four times the rated current to guarantee a larger safe operating area. onsemi 1200V Field Stop Trench IGBTs are available in TO-247-3, TO-247-4, and DPAK-3 packages, and are offered in 15A, 25A, and 40A ratings.