TP65H030G4Px 650 V 30 mΩ GaN-FETs

Die TP65H030G4Px 650 V 30mΩ Gallium-Nitrid (GaN)-FETs von Renesas Electronics sind in TOLT-, TO247- und TOLL-Gehäusen erhältlich. Diese GaN-FETs nutzen die Gen IV Plus SuperGaN® Plattform. Sie kombiniert einen hochmodernen Hochvolt-GaN-HEMT mit einem Niedervolt-Silizium-MOSFET, um ein überlegenes Betriebsverhalten, eine einfache Einführung und Zuverlässigkeit zu bieten.

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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TOLL
Datenblatt
351Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2.000

SMD/SMT TOLL-10 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms 4.8 V 24.5 nC - 55C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TOLT
Datenblatt
1.428Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1.300

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L
Datenblatt
798Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN