Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

IXFN110N85X

Name: IXYS IXFN110N85X
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN110N85X
Price: 62.5 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFN110N85X

Herst.- Nr.:

IXFN110N85X

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFET-Module 850V X-Class HiPerFE Power MOSFET

Datenblatt:

IXFN110N85X Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu IXYS IXFN110N85X

Auf Lager: 158

Lagerbestand:: 158 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 27 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-,-- €

Erw. Preis:

-,-- €

Vorauss. Zolltarif:

Dieses Produkt wird KOSTENLOS versandt

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	62,50 €	62,50 €
	58,49 €	584,90 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	SOT-227-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	850 V
Id - Drain-Gleichstrom:	110 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	33 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.5 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1.17 kW
Serie:	HiPerFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	11 ns
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	25 ns
Verpackung ab Werk:	10
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Handelsname:	HiPerFET
Typ:	HiperFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	144 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	50 ns
Gewicht pro Stück:	30 g

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

IXFN110N85X Datenblatt

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ladelösungen für Elektrofahrzeuge

Die EV-(Elektrofahrzeug)-Ladelösungen von Littelfuse ermöglichen Designern die Auswahl der richtigen Lösung, um zu gewährleisten, dass die EV-Ladeeinheiten funktionstüchtig und sicher sind. Off-Board-EV-Ladestationen arbeiten in rauen Umgebungen, die extremer Hitze, Kälte, Regen, Schnee und Blitzschlägen ausgesetzt sind. Produkte von Littelfuse schützen gegen diese Gefahren und reduzieren das Risiko von Fehlern.

850V X-Class Power MOSFETs

IXYS 850V X-Class Power MOSFETs with HiPerFET™ body diodes are rugged devices with current ratings up to 110A, which enables a very high power density in high voltage power conversion applications. These 850V devices have very low on-state resistances (33mΩ in the SOT-227 package), along with low gate charges and superior dv/dt performance.

HiperFET™ Ultra-Junction-850V-MOSFETs der X-Klasse

Die IXYS HiperFET™ Ultra-Junction-850V-MOSFETs der X-Klasse sind verbesserte Avalanche-bewertete schnelle intrinsische Dioden. Diese MOSFETs verfügen über eine hohe Leistungsdichte und geringe Gehäuseinduktivität mit geringem RDS_(ON) und geringem Q_G. Die MOSFETs der X-Klasse sind in internationalen Standardgehäusen erhältlich. Typische Applikationen sind Schaltnetzteile und Resonanznetzteile, Robotik- und Servosteuerungen und ähnliche Applikationen.
Mehr erfahren

X-Class Power MOSFETs

IXYS X-Class Power MOSFETs are high-power density N-Channel Enhancement Mode MOSFETs. They are easy to mount and have a low R_DS(ON) and Q_Gwith a low package inductance. Typical applications include switch-mode and resonant-mode power supplies, DC-DC converters and PFC circuits.

Elektrofahrzeug DC-Schnelladegeräte

Die Ladelösungen für das elektrische Fahrzeug (EV) von Littelfuse umfassen Off-Board-DC-Schnellladegeräte. Die EV-Ladelösungen von Littelfuse ermöglichen Designern die Auswahl der richtigen Lösung, um zu gewährleisten, dass die EV-Ladeeinheiten funktionstüchtig und sicher sind.

Ultra-Junction-MOSFETs

Die Ultra-Junction-MOSFETs von IXYS verfügen über einen niedrigen R_DS(on) und eine niedrige Q_g in Industriestandard-Gehäusen mit niedriger Induktivität. Diese Bauteile ermöglichen eine hohe Leistungsdichte, eine einfache Montage und Platzeinsparungen. Die Ultra-Junction-MOSFETs sind ideale Lösungen in SNT, DC/DC-Wandlern, PFC-Schaltungen, AC- und DC-Motorantriebe sowie Robotik-/Servo-Steuerungen.

Lösungen für Off-Highway-Elektrofahrzeuge

Littelfuse bietet eine große Auswahl von Lösungen für Off-Highway-Elektrofahrzeuge. Diese Elektrofahrzeuge verfügen über eine ähnliche Architektur und einen Leistungsbereich von 48 V bis 400 V. Zu den Off-Highway-Elektrofahrzeugen gehören elektrische Gabelstapler, Golfwagen, Dreiräder, Schleppzugmaschinen, Walzen und Bagger.