DMTx-MOSFETs

Diodes Incorporated DMTx-MOSFETs sind n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand und schneller Schaltung. Diese MOSFETs sind außerdem zur Erfüllung der strengen Anforderungen von Fahrzeuganwendungen ausgelegt. Die DMTx MOSFETs von Diodes Incorporated eignen sich hervorragend für Leistungsmanagement-Applikationen mit hohem Wirkungsgrad.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Handelsname
Verpackung
Diodes Incorporated MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A
Datenblatt
25.000Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Rolle: 2.500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 80 V 10 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 34 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated DMTH6016LFVW-7
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
Datenblatt
86.000Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2.000

Si Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Rolle: 3.000
Si PowerDI3333-8 Reel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2.000

Si PowerDI3333-8 Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Rolle: 3.000

Si SMD/SMT V-DFN3030-K-8 Reel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Rolle: 3.000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 Reel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 Tube
Diodes Incorporated MOSFETs 60V N-Ch Enh FET Low Rdson
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Rolle: 3.000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 Reel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Rolle: 3.000
Si V-DFN3333-8 Reel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 10K
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 10.000
Mult.: 10.000
Rolle: 10.000

Si SMD/SMT U-DFN2020-6 N-Channel 1 Channel 100 V 4 A 62 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 5.1 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 10.000
Mult.: 10.000
Rolle: 10.000
Si SMD/SMT U-DFN2020-F-6 Reel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 24 V 70 A 5 mOhms - 12 V, 12 V 550 mV 29.6 nC - 55 C + 150 C 2.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
Datenblatt
Nicht auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 2 Channel 24 V 50 A 7 mOhms - 12 V, 12 V 500 mV 46.7 nC - 55 C + 150 C 1.9 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
Datenblatt
Nicht auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2.000
Si PowerDI3333-8 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs 30V N-Ch Enh FET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2.500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs 30V N-Ch Enh FET 20Vgs 0.5W 70A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 10.000
Mult.: 10.000
Rolle: 10.000

Si SMD/SMT U-DFN2020-F-6 N-Channel 1 Channel Reel
Diodes Incorporated MOSFETs 30V N-Ch Enh FET 20Vgs 0.5W 70A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Rolle: 3.000

Si SMD/SMT U-DFN2020-F-6 N-Channel 1 Channel 30 V 12 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 14 nC - 55 C + 150 C 800 mW Enhancement Reel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Rolle: 3.000
Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 5 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 12 nC - 55 C + 150 C 2.3 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Rolle: 3.000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 12 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 12 nC - 55 C + 150 C 2.3 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Rolle: 3.000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 17 A 22 mOhms - 12 V, 12 V 1.8 V 13.9 nC 1.8 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2.000
Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 17 A 22 mOhms - 12 V, 12 V 1.8 V 13.9 nC 1.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Rolle: 2.500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 30 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 90 nC - 55 C + 150 C 2.4 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
Datenblatt
46.000Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 3.65 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 95.4 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement Tube
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 10.000
Mult.: 10.000
Rolle: 10.000

Si SMD/SMT U-DFN2020-6 N-Channel 1 Channel 60 V 9.5 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 13.6 nC - 55 C + 150 C 1.9 W Enhancement Reel