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SQ Automotive-Leistungs-MOSFETs

Die SQ Automotive-Leistungs-MOSFETs von Vishay / Siliconix sind AEC-Q101-qualifizierte Leistungs-MOSFETs, die mit einem speziellen Prozessdesign hergestellt werden, das für die Verwendung in der Automotive-Industrie optimiert ist. Diese SQ MOSFETs zeichnen sich durch N- und P-Kanal-TrenchFET® Technologien mit niedrigem ON-Widerstand und einem niedrigen thermischen Widerstand aus. Die SQ MOSFETs sind in verschiedenen Gehäusen für Designflexibilität verfügbar. Zu den Gehäusen gehören TO-252, TO-262, TO-263, PowerPAK® SO-8, PowerPAK SO-8L, D2PAK (TO-263), DPAK und PowerPAK 1212-8W sowie mehrere platzsparende, kleine Optionen. Ebenfalls erhältlich sind zahlreiche Polaritätsoptionen, einschließlich N-Kanal- und P-Kanal-Gehäuse. Die SQ Automotive-Leistungs-MOSFETs von Vishay / Siliconix werden in einer großen Auswahl von Polaritätsoptionen, einschließlich N-Kanal- und P-Kanal-Gehäuse, angeboten.

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MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

SQ2319CES-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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MOSFETs Automotive N-Channel 30V (D-S) 175C MOSFET

SQ2348CES-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQ2348CES-T1_GE3

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SQ2364EES-T1_BE3
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SQ3419CEV-T1_GE3
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SQ4917CEY-T1_GE3
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SQ1464EEH-T1_GE3
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SQ2308CES-T1_BE3
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SQ3985EV-T1_BE3
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MOSFETs P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

SQ4483BEEY-T1_GE3
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MOSFETs P-CHANNEL 80V (D-S)

SQ2337ES-T1_BE3
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MOSFETs 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-23; 4A Id

SQ2364EES-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQ2364EES-T1_GE3

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MOSFETs P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ4005EY-T1_GE3
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MOSFETs N-CHANNEL 40V

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MOSFETs DUAL N-CHANNEL 30V

SQ4282EY-T1_BE3
Vishay Semiconductors
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MOSFETs N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ4282EY-T1_GE3
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SQ4410EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQ4410EY-T1_GE3

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MOSFETs DUAL P-CHANNEL 30V

SQ4937EY-T1_BE3
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SQ4937EY-T1_BE3

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MOSFETs 60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ1440EH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQ1440EH-T1_GE3

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Mult.: 1
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: 3.000

MOSFETs N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ1902AEL-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQ1902AEL-T1_GE3

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