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DMT3006LFDF-7

Name: Diodes Incorporated DMT3006LFDF-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMT3006LFDF-7
Price: 0.63 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

621-DMT3006LFDF-7

Herst.- Nr.:

DMT3006LFDF-7

Herst.:

Diodes Incorporated

Beschreibung:

MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V

Datenblatt:

DMT3006LFDF-7 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0,636 €	0,64 €
	0,394 €	3,94 €
	0,273 €	27,30 €
	0,208 €	104,00 €
	0,187 €	187,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0,145 €	435,00 €
	0,137 €	822,00 €
	0,129 €	1.161,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Diodes Incorporated
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-2020-6
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	14.1 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	7 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1 V
Qg - Gate-Ladung:	16.7 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	2.1 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Diodes Incorporated
Konfiguration:	Single
Produkt-Typ:	MOSFETs
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	6,750 mg

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Datenblatt

DMT3006LFDF-7 Datenblatt (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Gate-Treiber

Die Gate-Treiber von Diodes Incorporated decken eine große Auswahl von Applikationen in Leistungssystemen und im Motorantrieb ab. Diese Gate-Treiber fungieren als Schnittstelle zwischen Mikrocontroller und IGBT- oder MOSFET-Leistungsschaltern. Die Gate-Treiber bieten optimale Antriebseigenschaften bei gleichzeitiger Steuerung der Durchzündung.

DMT3006LFDF-7 n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFET

Der Diodes Incorporated DMT3006LFDF-7 MOSFET ist ein 30V-n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFET, der mit einem Profil von 0,6 mm und einem Footprint von 4 mm² ausgelegt ist. Der DMT3006LFDF-7 MOSFET reduziert den Einschaltwiderstand, während gleichzeitig eine ausgezeichnete Schaltleistung aufrechterhalten wird. Außerdem ist der DMT3006LFDF-7 gemäß den AEC-Q101-Standards für hohe Zuverlässigkeit qualifiziert. Der MOSFET bietet einen Einschaltwiderstand von 5,8 bis 15 mΩ, eine Gate-Schwellspannung von 1 bis 3 V, einen kontinuierlichen Drainstrom von 12,5 bis 14,1 A und eine Verlustleistung von 2,1 W. Die Schaltleistung umfasst eine Ausschalt-Abfallzeit von 4,6 ns, eine Einschalt-Anlaufzeit von 5,5 ns, eine typische Ausschaltverzögerungszeit von 13,5 ns, eine typische Einschaltverzögerungszeit von 3,5 ns und eine Sperrverzögerung von 19,3 ns. Durch seine Bauweise eignet sich der DMT3006LFDF-7 30V-n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFET hervorragend für Energiemanagement-Applikationen mit hohem Wirkungsgrad.

DMTx-MOSFETs

Diodes Incorporated DMTx-MOSFETs sind n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand und schneller Schaltung. Diese MOSFETs sind außerdem zur Erfüllung der strengen Anforderungen von Fahrzeuganwendungen ausgelegt. Die DMTx MOSFETs von Diodes Incorporated eignen sich hervorragend für Leistungsmanagement-Applikationen mit hohem Wirkungsgrad.