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SH63N65DM6AG

Name: STMicroelectronics SH63N65DM6AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SH63N65DM6AG
Price: 18.89 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-SH63N65DM6AG

Herst.- Nr.:

SH63N65DM6AG

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET

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Datenblatt:

SH63N65DM6AG Datenblatt (PDF)

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	18,89 €	18,89 €
	14,96 €	149,60 €
	10,84 €	1.084,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 200)
	10,84 €	2.168,00 €
	9,39 €	3.756,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	ACEPACK SMIT-9
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	53 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	64 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.75 V
Qg - Gate-Ladung:	80 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	424 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AQG 324
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Dual
Abfallzeit:	8 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	8 ns
Verpackung ab Werk:	200
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	68 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	28 ns
Gewicht pro Stück:	8,200 g

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Datenblatt

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PCN

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SH63N65DM6AG Leistungs-MOSFET

Der STMicroelectronics SH63N65DM6AG Leistungs-MOSFET ist ein Automobilstandard-MDmesh-DM6-Halbbrückentopologie-n-Kanal-Leistungs-MOSFET, der eine Sperrspannung von 650 V bietet. Dieser Leistungs-MOSFET ist AQG 324-qualifiziert und BLUETOOTH in einem ACEPACK SMIT-Gehäuse mit niedriger Induktivität. Der SH63N65DM6AG Leistungs-MOSFET verfügt über sehr niedrige Schaltenergie, einen niedrigen thermischen Widerstand und eine Nennisolierung von 3,4 kV_rms/min. Dieser Leistungs-MOSFET verfügt über ein DBC-Substrat (DBC), das dem Gehäuse einen niedrigen thermischen Widerstand in Verbindung mit einem isolierten Wärme-Pad auf der Oberseite bietet. Der SH63N65DM6AG MOSFET wird in einem Gehäuse mit hoher Designflexibilität geliefert, das mehrere Konfigurationen, einschließlich Phasenbeine, Aufwärtswandler und Einzelschalter über verschiedene Kombinationen von internen Leistungsschaltern ermöglicht. Dieser Leistungs-MOSFET eignet sich hervorragend für Schaltapplikationen.