Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

SH63N65DM6AG

Name: STMicroelectronics SH63N65DM6AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SH63N65DM6AG
Price: 19.54 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-SH63N65DM6AG

Herst.- Nr.:

SH63N65DM6AG

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET

Vervollständigen Sie Ihr Design

Datenblatt:

SH63N65DM6AG Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu STMicroelectronics SH63N65DM6AG

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	ACEPACK SMIT-9
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	53 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	64 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.75 V
Qg - Gate-Ladung:	80 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	424 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AQG 324
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Dual
Abfallzeit:	8 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	8 ns
Verpackung ab Werk:	200
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	68 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	28 ns
Gewicht pro Stück:	8,200 g

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

SH63N65DM6AG Datenblatt (PDF)

PCN

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

Konformitätscodes

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

SH63N65DM6AG Leistungs-MOSFET

Der STMicroelectronics SH63N65DM6AG Leistungs-MOSFET ist ein Automobilstandard-MDmesh-DM6-Halbbrückentopologie-n-Kanal-Leistungs-MOSFET, der eine Sperrspannung von 650 V bietet. Dieser Leistungs-MOSFET ist AQG 324-qualifiziert und BLUETOOTH in einem ACEPACK SMIT-Gehäuse mit niedriger Induktivität. Der SH63N65DM6AG Leistungs-MOSFET verfügt über sehr niedrige Schaltenergie, einen niedrigen thermischen Widerstand und eine Nennisolierung von 3,4 kV_rms/min. Dieser Leistungs-MOSFET verfügt über ein DBC-Substrat (DBC), das dem Gehäuse einen niedrigen thermischen Widerstand in Verbindung mit einem isolierten Wärme-Pad auf der Oberseite bietet. Der SH63N65DM6AG MOSFET wird in einem Gehäuse mit hoher Designflexibilität geliefert, das mehrere Konfigurationen, einschließlich Phasenbeine, Aufwärtswandler und Einzelschalter über verschiedene Kombinationen von internen Leistungsschaltern ermöglicht. Dieser Leistungs-MOSFET eignet sich hervorragend für Schaltapplikationen.

EMPFOHLENE PRODUKTE

STMICROELECTRONICS

STL059N4S8AG Leistungs-MOSFET

Ein 40-V-N-Kanal-Anreicherungstyp-Leistungs-MOSFET, der in Smart StripFET F8 Technologie entwickelt wurde.

Mehr erfahren

MDmesh K6 n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

800 V, durch Zener-Diode geschützt, zu 100 % Avalanche-getestet und ideal für Sperrwandler und LED-Beleuchtung.

Mehr erfahren

STripFET F8 N-Kanal Leistungs-MOSFETs

Sie sind nach AEC-Q101 zugelassen und bieten eine umfassende Paketlösung von 30 V bis 150 V.

Mehr erfahren

STP80N1K1K6 N-Kanal Leistungs-MOSFET

Verwendet MDmesh K6-Technologie auf Basis von 20 Jahren Erfahrung im Bereich der Superjunction-Technologie.

Mehr erfahren

SH63N65DM6AG Leistungs-MOSFET

Automotive-grade N-channel MDmesh DM6 half‑Brückentopologie-Leistungs-MOSFET mit 650 V Sperrspannung.

Mehr erfahren

Auf Lager: 174

Lagerbestand:: 174 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 26 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-,-- €

Erw. Preis:

-,-- €

Vorauss. Zolltarif:

Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 200)

Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	19,54 €	19,54 €
	14,65 €	146,50 €
	10,65 €	1.065,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 200)
	10,65 €	2.130,00 €
	10,47 €	4.188,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

SH63N65DM6AG

Herst.: STMicroelectronics

Beschreibung: MOSFETs Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET Vervollständigen Sie Ihr Design

Technische Daten

Dokumente (4)

Datenblatt

PCN

Umweltunterlagen

Produkt- und Handelskonformität

Mehr über

SH63N65DM6AG Leistungs-MOSFET

Andere Kunden kauften auch

EMPFOHLENE PRODUKTE STMICROELECTRONICS

Auf Lager: 174

Preis (EUR)

Schnellansicht

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten.

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET

Vervollständigen Sie Ihr Design

EMPFOHLENE PRODUKTE

STMICROELECTRONICS