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BM61M41RFV-EVK002

Name: ROHM Semiconductor BM61M41RFV-EVK002
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BM61M41RFVEVK002
Price: 21.35 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-BM61M41RFVEVK002

Herst.- Nr.:

BM61M41RFV-EVK002

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung Isolated Gate Driver

Datenblatt:

BM61M41RFV-EVK002 Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung
RoHS:
Produkt:	Evaluation Boards
Typ:	Gate Driver
Eingangsspannung:	4.5 V
Ausgangsspannung:	9 V
Tool für die Evaluierung von:	BM61M41RFV-C
Marke:	ROHM Semiconductor
Verpackung:	Bulk
Produkt-Typ:	Power Management IC Development Tools
Verpackung ab Werk:	1
Unterkategorie:	Development Tools

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Datenblatt

BM61M41RFV-EVK002 Datenblatt (PDF)

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TARIC:: 8473302000
USHTS:: 9030890100
ECCN:: EAR99

BM61M41RFV-EVK002 Evaluierungsboard

Das Evaluierungsboard BM61M41RFV-EVK002 von ROHM Semiconductor steuert zwei MOSFET-Leistungsbauteile an und ist zur Evaluierung eines Treibers vom Typ BM61M41RFV-C ausgelegt. Der BM61M41RFV-C IC ist ein Gate-Treiber mit einer Isolationsspannung von 3.750 V_rms. Dieser IC verfügt über eine Unterspannungssperre (UVLO) zum Schutz der Stromversorgung und eine aktive Miller-Klemme für die Gate-Steuerung. Das Evaluierungsboard BM61M41RFV-EVK002 von ROHM Semiconductor bietet eine eingangsseitige Stromversorgung von 4,5 V bis 5,5 V und eine ausgangsseitige Stromversorgung von 9 V bis 24 V. Dieses Evaluierungsboard bietet eine Evaluierung der Gate-Treiber-Produktfamilie für verschiedene Applikationen.

Automotive-Gate-Treiber-Evaluierungsboards

Die Automotive-Gate-Treiber-Evaluierungsboards von ROHM Semiconductor sind Demonstrationsboards, die zur Vereinfachung der Entwicklung von Applikationen, die auf den Automotive-Gate-Treibern von ROHM basieren, ausgelegt sind. Die Automotive-Gate-Treiber von ROHM Semiconductor basieren auf einem einzigartigen Mikroherstellungsprozess zur Herstellung eines kernlosen On-Chip-Transformators. Diese Technologie ermöglicht kompakte, robuste und zuverlässig isolierte Gate-Treiber, die für den Einsatz mit SiC(Siliziumkarbid)-Leistungs-MOSFETs optimiert sind und eine optimierte Lösung für Leistungsschaltungsdesigns in Industrie- und Fahrzeuganwendungen bieten.