VTx080 Trench MOS Barrier Schottky-Gleichricher

Die Dual Trench MOS Barrier Schottky-Gleichrichter VT1080 und VT3080 von Vishay Semiconductors zeichnen sich durch einen niedrigen Durchlassspannungsabfall, eine geringe Verlustleistung und einen Betrieb mit hohem Wirkungsgrad aus. VT1080 Dual Trench MOS Barrier Schottky-Gleichrichter weisen eine äußerst geringe Durchlassspannung von 0,49V bei IF=3A auf. VT2080 Trench MOS Barrier-Gleichrichter bieten eine äußerst geringe Durchlassspannung von 0,46V bei IF=5A. VT3080 Dual Trench MOS Barrier Schottky-Gleichrichter bieten eine äußerst geringe Durchlassspannung von 0,46V bei IF=5A. Vishay Semiconductors VT1080, VT2080, und VT3080 Trench MOS Barrier Schottky-Gleichrichter sind für die Verwendung in Hochfrequenzwandlern, Schaltnetzteilen, Freilaufdioden, O-Ring-Dioden, DC-DC-Wandlern und Anwendungen zum Schutz vor Batterieentladung ausgelegt.

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Produkt Montageart Verpackung/Gehäuse Konfiguration Technologie If - Durchlassstrom Vrrm - Periodische Sperrspannung Vf - Durchlassspannung Ifsm - Durchlass-Stoßstrom Ir - Sperrstrom Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Serie Verpackung
Vishay General Semiconductor Schottky Dioden & Gleichrichter 10A,80V,TRENCH 1.742Auf Lager
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Schottky Rectifiers Through Hole TO-220-3 Single Si 10 A 80 V 670 mV 100 A 20 uA - 55 C + 125 C Tube
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Schottky Rectifiers Through Hole TO-220-3 Dual Si 5 A 80 V 630 mV 80 A 12 uA - 55 C + 125 C Tube
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Schottky Rectifiers Through Hole TO-220-3 Dual Si 10 A 80 V 670 mV 100 A 20 uA - 55 C + 125 C VT2080x Tube
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Schottky Rectifiers Through Hole TO-220-3 Si 20 A 80 V 800 mV 150 A 30 uA - 55 C + 125 C Tube
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Schottky Rectifiers Through Hole TO-220-3 Dual Si 15 A 80 V 750 mV 150 A 30 uA - 55 C + 125 C Tube
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Schottky Rectifiers Through Hole TO-220-3 Single Dual Anode Si 30 A 80 V 820 mV 200 A 70 uA - 55 C + 125 C Tube