EDT2 Diskrete 750-V-IGBTs

Die diskreten 750-V-EDT2-IGBTs (Electric Drive Train 2) von Infineon Technologies  ermöglichen Benutzern, die Vorteile der hochmodernen EDT2-Technologie und der innovativen TO-247PLUS SMD-Gehäuse zu nutzen. Das TO-247PLUS SMD-Gehäuse bietet eine beispiellose Leistung unter schwierigen Bedingungen und ebnet den Weg für zuverlässige, effiziente und kostengünstige Leistungshalbleiterlösungen. Die diskreten 750-V-EDT2-IGBTs in TO-247PLUS SMD-Gehäusen ermöglichen  einen Reflow-Lötwiderstand und ein nicht laminierendes Design. Dieses einzigartige Gehäuse ohne Delamination verfügt über einen TO-247-Footprint und enthält einen 200-A-IGBT mit 750 V, der mit einer 200-A- Diode mit 750 V in einer 3-Pin-Konfiguration bestückt ist. Die diskreten 750-V-EDT2-IGBTs eignen sich hervorragend für Bau-, Nutz- und Landwirtschaftsfahrzeuge (CAVs),  LKWs und Busse, Universal-Antriebe (GPDs) und Motorantriebe.