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TC6321T-V/9U

Name: Microchip TC6321T-V/9U
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-TC6321T-V/9U
Price: 1.25 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

579-TC6321T-V/9U

Herst.- Nr.:

TC6321T-V/9U

Herst.:

Microchip Technology

Beschreibung:

MOSFETs THERMAL. ENHANCED COMP. 200V N & P CH. MOSFET PAIR

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Datenblatt:

TC6321T-V/9U Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	Microchip
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VDFN-8
Transistorpolung:	N-Channel, P-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	200 V
Id - Drain-Gleichstrom:	2 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	7 Ohms, 8 Ohms
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1 V, 2.4 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Marke:	Microchip Technology
Konfiguration:	Dual
Abfallzeit:	15 ns, 15 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	15 ns, 15 ns
Serie:	TC6321
Verpackung ab Werk:	3300
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	20 ns, 20 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	10 ns, 10 ns
Gewicht pro Stück:	145 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

TC6321 n- und p-Kanal-MOSFET-Paar

Das TC6321 n- und p-Kanal-MOSFET-Paar von Microchip ist mit Gate-to-Source-Widerständen und Gate-to-Source-Zener-Dioden-Klemmen integriert. Dieses MOSFET-Paar wurde für Schalt- und Verstärkungs-Applikationen entwickelt, bei denen Hochspannung, Hochstromantrieb und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erforderlich sind. Dieser TC6321 paart mit dem MD12xx, MD17xx oder MD18xx Ultraschall-MOSFET-Treiber zur Erzielung eines Hochgeschwindigkeit- und Hochspannungs- Impulsgeber- Schaltkreises. Der TC6321 MOSFET arbeitet bei einer Temperatur von -40 °C bis 150 °C und V_DS reicht von -200 V bis 200 V. Das TC6321 MOSFET-Paar verwendet eine fortschrittliche vertikale DMOS-Struktur und den Silizium-Gate-Herstellungsprozess. Aus dieser Kombination resultieren Geräte mit der Belastbarkeit von bipolaren Transistoren und mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperatur-Koeffizienten von MOS-Geräten.
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