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SISS94DN-T1-GE3

Name: Vishay SISS94DN-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SISS94DN-T1-GE3
Price: 1.23 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SISS94DN-T1-GE3

Herst.- Nr.:

SISS94DN-T1-GE3

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

MOSFETs N-CHANNEL 200-V(D-S) PowerPAK 1212-8S

Datenblatt:

SISS94DN-T1-GE3 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1,23 €	1,23 €
	0,776 €	7,76 €
	0,514 €	51,40 €
	0,402 €	201,00 €
	0,366 €	366,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0,343 €	1.029,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK-1212-8SH-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	200 V
Id - Drain-Gleichstrom:	19.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	75 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	11 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	65.8 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay Semiconductors
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	7 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	12 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	5 ns
Serie:	SISS
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	20 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	12 ns
Gewicht pro Stück:	488,500 mg

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SISS94DN ThunderFET®-MOSFET

Der Vishay SISS94DN ThunderFET^®-MOSFET ist ein 200-V^DS-n-Kanal-Bauteil, das den TrenchFET® mit der ThunderFET-Technologie verwendet. Dieser ThunderFET^®-MOSFET optimiert den Ausgleich von R_DS(on), Q_g, Q_sw und Q_oss. Das Bauteil ist vollständig R_g- und UIS-getestet (Unclamped Inductive Switching, UIS) Dieser SISS94DN MOSFET ist in einem PowerPak-1212-8S-Gehäuse erhältlich und ist bleifrei (Pb) und halogenfrei (SiSS94DN-T1-GE3). Der MOSFET wird in einem Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C betrieben und ist in einer einzigen Konfiguration verfügbar. Zu den typischen Applikationen gehören primärseitige Schaltung, Synchrongleichrichtung, DC/DC-Topologien, Beleuchtung, Lastschalter und Motorantriebssteuerung.

ThunderFET® Leistungs-MOSFETs

Die ThunderFET^® Leistungs-MOSFETs von Vishay Siliconix bieten den branchenweit niedrigsten On-Widerstand unter den 100-V-MOSFETs in der 4,5V-Klasse. Zusätzlich zum On-Widerstand und der Gate-Ladung ist die wichtige Gütezahl (Figure of Merit - FOM) für MOSFETs in DC-DC-Wandlern ebenfalls die Beste. Durch den niedrigen On-Widerstand bieten sie Designern niedrigere Leitungsverluste und einen geringeren Stromverbrauch für energiesparende, umweltfreundliche Lösungen. Diese Bausteine sind für primäre Taktung und sekundäre Synchrongleichrichtung in isolierten DC/DC-Stromversorgungs-Designs für den Einsatz in Telekommunikations-Brick- und Bus-Wandlern optimiert. Die 4,5-V-Klassifizierung für den On-Widerstand des MOSFETs erlaubt es, eine große Auswahl an PWM- und Gatetreiber-ICs zu berücksichtigen.
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