Siliziumkarbid-Bauteile (SiC)

Die Siliziumkarbid-Leistungselemente von ROHM Semiconductor liefern eine 10-fache dielektrische Durchbruchfeldstärke, eine 3x größere Bandlücke, und die 3-fache Wärmeleitfähigkeit im Vergleich zu konventionellen Silizium-Lösungen. Dies ermöglicht geringere Schaltverluste, einen geringeren ON-Widerstand, und eine höhere Betriebstemperatur. Das Ergebnis sind eine geringere Verlustleistung und kleinere Module. Außerdem benötigen Designer weniger Bauteile, was die Komplexität der Entwicklung weiter reduziert.

Arten von diskreten Halbleitern

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ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs 650V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3080AR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver 529Auf Lager
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247N-3
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247N-3
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
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SiC MOSFETS Through Hole TO-3PFM-3