Automotive Ignition IGBTs

ROHM Semiconductor Automotive Ignition IGBTs with low collector-emitter saturation voltage are suitable for the ignition coil and solenoid driver circuits. The IGBT transistors feature high self-clamped inductive switching energy, built-in gate-emitter protection diode, and built-in gate-emitter resistance. These IGBT transistors operate at -40ºC to 175ºC and -55ºC to 175ºC storage temperature. The devices are housed in 3-pin TO-252 and TO263S packages and are a highly reliable product for automotive.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Verpackung/Gehäuse
Montageart
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Maximale Gate-Emitter-Spannung
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Qualifikation
Verpackung
ROHM Semiconductor IGBTs Transistor, IGBT, 430V +/- 30V, 20A
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Si TO-263-3 SMD/SMT Single 460 V 2.1 V 10 V 20 A 107 W - 40 C + 175 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor IGBTs 430V 20A 1.6V Vce Ignition IGBT
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2.793Auf Lager
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Si TO-252-3 SMD/SMT Single 460 V 2.1 V 10 V 20 A 107 W - 40 C + 175 C RGP AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor IGBTs 400V 30A 1.6V Vce Ignition IGBT
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5.534Auf Lager
MouseReel verfügbar
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Si TO-252-3 SMD/SMT Single 430 V 2.1 V 10 V 30 A 125 W - 40 C + 175 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor IGBTs 430V 20A 1.6V Vce Ignition IGBT
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2.740Auf Lager
MouseReel verfügbar
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Si TO-252-3 SMD/SMT Single 460 V 2.1 V 10 V 20 A 107 W - 40 C + 175 C RGP AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor IGBTs 430V 20A 1.6V Vce Ignition IGBT
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1.000erwartet ab 04.12.2026
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Si TO-263-3 SMD/SMT Single 460 V 2.1 V 10 V 20 A 107 W - 40 C + 175 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor IGBTs 400V 30A 1.6V Vce Ignition IGBT
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1.015Auf Lager
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Si TO-262-3 Through Hole Single 430 V 2.1 V 10 V 30 A 125 W - 40 C + 175 C RGP AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel