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PSMN045-100HLX

Name: Nexperia PSMN045-100HLX
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN045-100HLX
Price: 1.78 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-PSMN045-100HLX

Herst.- Nr.:

PSMN045-100HLX

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

MOSFETs SOT1205 100V 21A

Datenblatt:

PSMN045-100HLX Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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-,-- €

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1,78 €	1,78 €
	1,14 €	11,40 €
	0,963 €	48,15 €
	0,756 €	75,60 €
	0,596 €	298,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	0,518 €	777,00 €
	0,399 €	1.197,00 €
	0,383 €	1.723,50 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	LFPAK-56D-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	21 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	45 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.1 V
Qg - Gate-Ladung:	18.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	53 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Nexperia
Produkt-Typ:	MOSFETs
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Artikel # Aliases:	934665471115

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

PSMN045 N-Kanal-MOSFET

Der Nexperia PSMN045 N-Kanal-MOSFET ist ein Dual-Logikschaltung-Level N-Kanal-MOSFET, der in einem LFPAK56D (Dual-power-SO8)-Gehäuse untergebracht ist. Nexperia verwendet TrenchMOS-Technologie. Das Bauelement verfügt über einen Drainstrom-IDM mit hohem Spitzenwert und einen Kupferclip mit flexiblen Anschlussdrähten.