RB-Baureihe Schottky-Barriere-Dioden

Die Schottky Barrieredioden (SBDs) der Baureihe RB von ROHM Semiconductor sind Dioden zur Oberflächenmontage, die für die allgemeine Gleichrichtung entwickelt wurden. Diese Schottky-Barriere-Dioden verfügen über eine hohe Zuverlässigkeit, einen niedrigen Sperrstrom (IR) und eine epitaktische Silizium-Planarstruktur. Die RB Schottky-Dioden von ROHM Semiconductor sind in einem TO-252-Gehäuse (DPAK) verfügbar und eignen sich für Schaltnetzteile.

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Produkt Montageart Verpackung/Gehäuse Konfiguration Technologie If - Durchlassstrom Vrrm - Periodische Sperrspannung Vf - Durchlassspannung Ifsm - Durchlass-Stoßstrom Ir - Sperrstrom Maximale Betriebstemperatur Qualifikation Verpackung
ROHM Semiconductor Schottky Dioden & Gleichrichter Schottky Barrier Diode Super Low IR, 30V, 40A, ITO-220AB Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000

Schottky Diodes Through Hole TO-220FN-3 Dual Anode Common Cathode Si 40 A 35 V 750 mV 100 A 12 uA + 150 C Tube
ROHM Semiconductor Schottky Dioden & Gleichrichter Schottky Barrier Diode Super Low IR, 40V, 40A, ITO-220AB Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Schottky Diodes Through Hole TO-220FN-3 Dual Anode Common Cathode Si 40 A 45 V 800 mV 100 A 12 uA + 150 C Tube
ROHM Semiconductor Schottky Dioden & Gleichrichter Schottky Barrier Diode Super Low IR, 100V, 30A, ITO-220AB Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000

Schottky Diodes Through Hole TO-220FN-3 Dual Anode Common Cathode Si 30 A 110 V 870 mV 100 A 10 uA + 150 C Tube
ROHM Semiconductor Schottky Dioden & Gleichrichter RECT 60V 5A SM SKY BARRI Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Rolle: 2.500

Schottky Diodes SMD/SMT TO-252-3 Dual Anode Common Cathode Si 10 A 60 V 830 mV 50 A 3 uA + 150 C Reel