4.500-V-IGBT-Module

Infineon Technologies 4.500-V-IGBT-Module sind 1.800-A-IGBT-Module mit einem Einzelschalter von 190 mm und Trench-/Fieldstop-IGBT4, vier Emitter-gesteuerten Dioden und einer isolierten AlSiC-Grundplatte. Die 4.500-V-IGBT-Module eignen sich hervorragend für HVDC-Applikationen.

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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Produkt
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Kriechstrom Gate-Emitter
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
Infineon Technologies IGBT-Module 4500 V, 1200 A single switch IGBT module
Datenblatt
3Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Module Dual 2.35 V 1.2 kA 400 nA 2.65 MW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 4500 V, 1800 A single switch IGBT module
Datenblatt
Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Single 4.5 kV 2.15 V 1.8 kA 400 nA 4 MW - 40 C + 150 C Tray