NXH100B120H3Q0 Dual-Aufwärts-Leistungsmodule

Die NXH100B120H3Q0 Dual-Aufwärts-Leistungsmodule von onsemi verfügen über einen hohen Wirkungsgrad und eine hervorragende Zuverlässigkeit. Die NXH100B120H3Q0 integrierten Field-Stop-Trench-IGBTs und SiC-Dioden bieten geringere Leitungs- und Schaltverluste. Die NXH100B120H3Q0 Dual-Aufwärts-Leistungsmodule eignen sich hervorragend für Energiespeichersysteme, Solarwechselrichter und unterbrechungsfreie Stromversorgungsapplikationen.

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Technologie
Montageart
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onsemi IGBT-Module PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (PRESS-FIT PIN TIM)
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28Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules SiC Press Fit Q0BOOST
onsemi NXH100B120H3Q0SG
onsemi Diskrete Halbleitermodule PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (SOLDER PIN)
Datenblatt
24Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Discrete Semiconductor Modules Si
onsemi IGBT-Module PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (SOLDER PIN TIM)
Datenblatt
96Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 24
Mult.: 24

IGBT Modules SiC Press Fit Q0BOOST
onsemi NXH100B120H3Q0PG
onsemi Diskrete Halbleitermodule PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (PRESS-FIT PIN)
Datenblatt
480Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 24
Mult.: 24
Discrete Semiconductor Modules Si