SIZ240DT-T1-GE3

Vishay / Siliconix
78-SIZ240DT-T1-GE3
SIZ240DT-T1-GE3

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs DUAL N-CHANNEL Symm.PowerPAIR 3 x 3

ECAD Model:
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Vishay
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAIR-3x3S-8
N-Channel
2 Channel
40 V
47 A, 48 A
8 mOhms, 8.4 mOhms
- 16 V, 20 V
2.4 V
15.2 nC, 14.2 nC
- 55 C
+ 150 C
33 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Vishay / Siliconix
Konfiguration: Dual
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: CN
Abfallzeit: 5 ns, 10 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 39 S, 55 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 6 ns, 55 ns
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 23 ns, 25 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 15 ns, 25 ns
Gewicht pro Stück: 143,050 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

PowerPAIR® Dual-MOSFETs

Die PowerPAIR® Dual-MOSFETs von Vishay kombinieren optimierte Kombinationen von MOSFETs in einem kompakten Gehäuse. Die zusammengeschalteten PowerPAIR Dual-MOSFETs verfügen über einen geringeren Platzbedarf und bieten eine höhere Leistungsfähigkeit als separate diskrete Bauteile. Durch den bereits erfolgten Anschluss der beiden MOSFETs im PowerPAIR-Gehäuse werden die Layouts vereinfacht und die parasitäre Induktivität von PCB-Spuren reduziert, wodurch der Wirkungsgrad erhöht wird. 

SiZ240DT 40-V-n-Zweikanal-MOSFET (D-S)

Der Vishay SiZ240DT 40-V-n-Zweikanal-MOSFET (D-S) verfügt über die TrenchFET® Gen IV Leistungs-MOSFET-Technologie mit integrierten High-Side- und Low-Side-MOSFETs in einem kompakten PowerPAIR®-Gehäuse von 3,3 mm2. Der SiZ240DT bietet einen erstklassigen Einschaltwiderstand und eine Einschaltwiderstandszeit-Gate-Ladung, die eine wichtige Gütezahl (FOM) für MOSFETs darstellt, die in Leistungsumwandlungsapplikationen verwendet werden.