Fast Asynchronous SRAM Devices

Alliance Memory Fast Asynchronous Static Random Access Memory (SRAM) devices are high-performance CMOS SRAMs designed for performance and reliability. These devices are ideal for memory applications where fast data access and simple interfacing are desired. The Fast Asynchronous SRAM modules feature low power consumption. These devices support the full range of 1.6V and 5V asynchronous SRAMs used with mainstream Digital Signal Processors (DSPs) and microcontrollers. Typical applications include commercial products, consumer products, industrial products, and medical products.

Ergebnisse: 54
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Speichergröße Organisation Zugangszeit Schnittstellen-Typ Versorgungsspannung - Max. Versorgungsspannung - Min. Versorgungsstrom - Max. Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Montageart Verpackung/Gehäuse Verpackung
Alliance Memory SRAM SRAM, 16Mb, 2M x 8, 3.3V, 48ball TFBGA, 10ns, Industrial Temp - Tray Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

16 Mbit 2 M x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray
Alliance Memory SRAM 8M, 3.3V, 10ns, FAST 256K X 32 Asyn SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
Rolle: 2.000

8 Mbit 256 k x 32 10 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 180 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-90 Reel
Alliance Memory SRAM SRAM, 4Mb, 512K x 8, 3.3V, 36ball TFBGA (6mmx8mm), Industrial Temp - Tape & Reel Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
Rolle: 2.000

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 70 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-36 Reel
Alliance Memory SRAM SRAM, 4Mb, 256K x 16, 3.3V, 48ball TFBGA, (B-die) Industrial Temp - Tape & Reel Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
Rolle: 2.000

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 70 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel