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ZXTP56020FDBQ-7

Name: Diodes Incorporated ZXTP56020FDBQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-ZXTP56020FDBQ-7
Price: 0.77 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

621-ZXTP56020FDBQ-7

Herst.- Nr.:

ZXTP56020FDBQ-7

Herst.:

Diodes Incorporated

Beschreibung:

Bipolartransistoren - BJT 20V DUAL PNP LOW VCE(SAT) TRANSISTOR

Datenblatt:

ZXTP56020FDBQ-7 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0,774 €	0,77 €
	0,479 €	4,79 €
	0,311 €	31,10 €
	0,239 €	119,50 €
	0,216 €	216,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0,185 €	555,00 €
	0,17 €	1.020,00 €
	0,169 €	1.521,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Hersteller:	Diodes Incorporated
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	UDFN6
Transistorpolung:	PNP
Konfiguration:	Dual
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC):	2 A
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	20 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	20 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	7 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	390 mV
Pd - Verlustleistung:	2.47 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Qualifikation:	AEC-Q101
Serie:	ZXTP56020FDBQ
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Diodes Incorporated
Kollektorgleichstrom:	- 2 A
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	100
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	6,500 mg

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Datenblatt

ZXTP56020FDBQ-7 Datenblatt (PDF)

Environmental Compliance (PDF)

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

ZXTP56020FDBQ Bipolartransistor

Der Bipolartransistor ZXTP56020FDBQ von Diodes Inc. ist ein bipolarer Sperrschicht-Transistor (BJT) mit 20V-Dual-PNP-Konfiguration in einem kompakten U-DFN2020-6 SWP-Gehhäuse mit flachem Profil. Dieser BJT ist nach Standard AEC-Q101 für hohe Zuverlässigkeit qualifiziert. Der ZXTP56020FDBQ Transistor verfügt über eine Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung von -20 V (B_VCEO) und einen hohen kontinuierlichen Kollektorstrom von -2 A. Dieser bipolare Transistor bietet eine Verlustleistung von bis zu 2,47 W für Applikationen mit hohen Leistungsanforderungen. Der ZXTP56020FDBQ BJT arbeitet im Temperaturbereich von -55 °C bis 155 °C und bietet eine niedrige Sättigungsspannung von -150 mV bei -1 A. Typische Applikationen sind Matrix-LED-Beleuchtung und Energiemanagement.