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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Verpackung/Gehäuse
Montageart
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Maximale Gate-Emitter-Spannung
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
onsemi IGBTs FS3 IGBT 650V/100A AND AUTO STEALTH DIODE
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1.771Auf Lager
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Si TO-247-3LD Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 120 A 660 W - 55 C + 175 C AFGY100T65SPD Tube
onsemi AFGY120T65SPD
onsemi IGBTs FS3 IGBT 650V/120A AND AUTO STEALTH DIODE
Datenblatt
1.027Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 160 A 714 W - 55 C + 175 C AFGY120T65SPD Tube
onsemi IGBTs FS3 IGBT 650V/120A AND STEALTH DIODE
Datenblatt
393Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.5 V 20 V 240 A 882 W - 55 C + 175 C FGY120T65SPD Tube