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DGD0227S8-13

Name: Diodes Incorporated DGD0227S8-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DGD0227S8-13
Price: 1.7 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

621-DGD0227S8-13

Herst.- Nr.:

DGD0227S8-13

Herst.:

Diodes Incorporated

Beschreibung:

Gate-Treiber HV Gate Driver

Datenblatt:

DGD0227S8-13 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1,70 €	1,70 €
	1,08 €	10,80 €
	0,963 €	24,08 €
	0,799 €	79,90 €
	0,697 €	174,25 €
	0,66 €	330,00 €
	0,554 €	554,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0,506 €	1.265,00 €
	0,492 €	3.690,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Diodes Incorporated
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
Typ:	Low-Side
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-8
Anzahl der Treiber:	2 Driver
Anzahl der Ausgänge:	2 Output
Ausgangsstrom:	4 A
Versorgungsspannung - Min.:	4.5 V
Versorgungsspannung - Max.:	18 V
Anstiegszeit:	20 ns
Abfallzeit:	20 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Diodes Incorporated
Logiktyp:	CMOS, TTL
Maximale Abschaltverzögerungszeit:	50 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit:	100 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Betriebsversorgungsstrom:	40 uA
Ausgangsspannung:	18 V
Pd - Verlustleistung:	625 mW
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si
Gewicht pro Stück:	750 mg

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Datenblatt

DGD0227S8-13 Datenblatt (PDF)

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CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

DGD-Halbbrücken-Gate-Treiber

Diodes Inc. DGD-Halbbrücken-Gate-Treiber sind Hochspannungs- und Hochgeschwindigkeits-Gate-Treiber, die n-Kanal-MOSFETs und IGBTs in einer Halbbrücken-Konfiguration antreiben können. Hochspannungsverarbeitungstechniken ermöglichen es der High-Side auf die Offsetspannung in einem Bootstrap-Betrieb umzuschalten. Die DGD-Logikeingänge sind mit den Standard-TTL- und CMOS-Pegeln (bis zu 3,3 V) kompatibel, um problemlos mit Steuergeräten zu kommunizieren. Die Gate-Treiber von Diodes Incorporated eignen sich hervorragend für DC/DC-Wandler, DC/AC-Wechselrichter, AC/DC-Netzteile, Motorsteuerungen und Leistungsverstärker der Klasse D.

DGD0227 Low-Side-Gate-Treiber

Diodes Incorporated DGD0227 Low-Side-Gate-Treiber sind duale Hochgeschwindigkeits-Low-Side-MOSFET- und IGBT-Treiber. Dieser Bauteile können einen Spitzenstrom von 4 A ansteuern und bieten einen Betriebsversorgungsspannungsbereich von 4,5 V bis 18 V. Die Gate-Treiber-Logikeingänge von Diodes Incorporated sind mit Standard-TTL- und CMOS-Pegeln (bis hinunter zu 3,3 V) kompatibel und lassen sich problemlos mit MCUs verbinden. Die schnelle und gut angepasste Ausbreitungsverzögerung ermöglicht einen Betrieb bei hohen Geschwindigkeiten. Dadurch wird ein kleineres und kompakteres Leistungsschaltdesign mit kleineren zugehörigen Komponenten ermöglicht. Dieser DGD0227 Gate-Treiber ist in einem SO-8-Gehäuse (Typ TH) erhältlich und arbeitet in einem Temperaturbereich von -40 °C bis 125 °C.

Gate-Treiber

Die Gate-Treiber von Diodes Incorporated decken eine große Auswahl von Applikationen in Leistungssystemen und im Motorantrieb ab. Diese Gate-Treiber fungieren als Schnittstelle zwischen Mikrocontroller und IGBT- oder MOSFET-Leistungsschaltern. Die Gate-Treiber bieten optimale Antriebseigenschaften bei gleichzeitiger Steuerung der Durchzündung.