DMTH10H2M5STLWQ-13

Diodes Incorporated
621-TH10H2M5STLWQ-13
DMTH10H2M5STLWQ-13

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI1012-8 T&R 1.5K

ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Auf Lager: 1.457

Lagerbestand:
1.457 sofort lieferbar
Lieferzeit ab Hersteller:
24 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Bestellmengen größer als 1457 können einer Mindestbestellmenge unterliegen.
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
-,-- €
Erw. Preis:
-,-- €
Vorauss. Zolltarif:
Gehäuse:
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)

Preis (EUR)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
4,58 € 4,58 €
3,18 € 31,80 €
2,28 € 228,00 €
2,22 € 1.110,00 €
2,06 € 2.060,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
2,06 € 3.090,00 €
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden.

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Diodes Incorporated
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Diodes Incorporated
Produkt-Typ: MOSFETs
Verpackung ab Werk: 1500
Unterkategorie: Transistors
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

DMTH10H2M5STLWQ Automotive Enhancement-Mode-MOSFET

Der Automotive Enhancement-MOSFET DMTH10H2M5STLWQ von Diodes Incorporated ist ein n-Kanal-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand (typisch 1,68 mΩ, maximal 2,5 mΩ) und ausgezeichneter Schaltleistung. Der DMTH10H2M5STLWQ hat eine Drain-Source-Spannung von 100 V, einen Drain-Strom von 1 µA ohne Gate-Spannung und einen Gate-Source-Kriechverlust von ±100 nA. Dieses Bauteil ist nach AEC-Q101 qualifiziert, wird durch ein PPAP unterstützt und ist für Applikationen im Automotive-Bereich optimiert.