NVMFS024N06C Einzelne N-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs NVMFS024N06C von Onsemi zeichnen sich durch ein kompaktes Design mit kleinem Footprint von 5 mm x 6 mm aus. Die MOSFETs der Baureihe NVMFS024N06C von Onsemi eignen sich hervorragend für platzsparende Applikationen und verfügen über einen niedrigen RDS(on). Die MOSFETs minimieren Leitungsverluste und gewährleisten so ein effizientes Leistungsmanagement. Darüber hinaus tragen der niedrige QG und die geringe Kapazität zur Reduzierung der Verluste beim Treiber bei.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Verpackung
onsemi MOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel DFN5(Pb-Free, Wettable Flanks)
Datenblatt
1.326Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 60 V 25 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 5.7 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS
Datenblatt
593Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 25 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 5.7 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel