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NCV5700DR2G

Name: onsemi NCV5700DR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NCV5700DR2G
Price: 1.38 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NCV5700DR2G

Herst.- Nr.:

NCV5700DR2G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

Gate-Treiber HIGH CURRENT IGBT GATE DR

Datenblatt:

NCV5700DR2G Datenblatt

ECAD Model:

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1,38 €	1,38 €
	1,01 €	10,10 €
	0,92 €	23,00 €
	0,814 €	81,40 €
	0,765 €	191,25 €
	0,736 €	368,00 €
	0,66 €	660,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0,64 €	1.600,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
Typ:	Half-Bridge
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-16
Anzahl der Treiber:	1 Driver
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Ausgangsstrom:	7.8 A
Versorgungsspannung - Min.:	0 V
Versorgungsspannung - Max.:	24 V
Konfiguration:	Inverting, Non-Inverting
Anstiegszeit:	9.2 ns
Abfallzeit:	7.9 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	NCV5700
Qualifikation:	AEC-Q100
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Maximale Abschaltverzögerungszeit:	75 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit:	75 ns
Betriebsversorgungsstrom:	900 uA
Ausgangsspannung:	5 V
Pd - Verlustleistung:	900 mW
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Abschaltung:	Shutdown
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si
Gewicht pro Stück:	142 mg

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Datenblatt

NCV5700DR2G Datenblatt

Errata

Datasheet update for NCV5700/NCD5700/01 series, DESAT charge current (PDF)

PCN

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542310000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542310302
ECCN:: EAR99

NCV5700 Hochstrom-IGBT-Gate-Treiber

Der Hochstrom-IGBT-Gate-Treiber NCV5700 von onsemi verfügt über einen Hochstromausgang von +4/-6 A bei IGBT-Miller-Plateau-Spannungen. Der NCV5700 ist ein eigenständiger Hochleistungs-IGBT-Treiber für Hochleistungs-Applikationen. Zu diesen Applikationen gehören Solar-Wechselrichter, Motorsteuerung und unterbrechungsfreie Stromversorgungen. Dieses Bauelement bietet eine kostengünstige Lösung durch Eliminierung vieler externe Komponenten. Die Schutzfunktionen des Bauelements umfassen aktive Miller-Klemme, genaue UVLO, EN-Eingang, DESAT-Schutz und aktiver niedriger Fehlerausgang. Der Treiber hat einen genauen 5,0V-Ausgang und separate Hoch- und Niedrig- Treiberausgänge (VOH und VOL) für ein komfortables Systemdesign. Ein breiter Spannungsbereich von Vorspannungsversorgungen, einschließlich unipolaren und bipolaren Spannungen wird untergebracht. Der NCV5700 ist in einem 16-Pin-SOIC-Gehäuse erhältlich.
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Kopplung von Gate-Treibern mit EliteSiC-MOSFETs

Energieinfrastrukturapplikationen wie das Laden von Elektrofahrzeugen, Energiespeicherung, unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme (USV) und Solarenergie treiben die Systemleistung auf Hunderte von Kilowatt und sogar Megawatt. Diese Hochleistungsapplikationen verwenden ein Halbbrücken-, Vollbrücken- und Dreiphasen-Topologie-Tastverhältnis mit bis zu sechs Schaltern für Wechselrichter und BLDC. Je nach Leistungspegel und Schaltgeschwindigkeiten suchen Systemdesigner verschiedene Schalttechnologien, einschließlich Silizium, IGBTs und SIC, um die Applikationsanforderungen am besten zu erfüllen.