NTH4L025N065SC1

onsemi
863-NTH4L025N065SC1
NTH4L025N065SC1

Herst.:

Beschreibung:
SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V

Datenblatt:
ECAD Model:
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onsemi
Produktkategorie: SiC-MOSFETs
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
99 A
28.5 mOhms
- 8 V, + 22 V
4.3 V
164 nC
- 55 C
+ 175 C
348 W
Enhancement
EliteSiC
Marke: onsemi
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: CN
Land der Verbreitung: KR
Ursprungsland: CN
Abfallzeit: 8 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 27 S
Verpackung: Tube
Produkt-Typ: SiC MOSFETS
Anstiegszeit: 19 ns
Serie: NTH4L025N065SC1
Verpackung ab Werk: 30
Unterkategorie: Transistors
Technologie: SiC
Regelabschaltverzögerungszeit: 32 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 17 ns
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

PCN

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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