Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 6 60 V

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 60 V Leistungs-MOSFETs liefern überragendes Betriebsverhalten durch robuste Leistungs-MOSFET- Technologie. Die OptiMOS 60 V Leistungs-MOSFETs bieten einen um 37 % niedrigeren RDS(on) und ein um etwa 25 % höheres FOMQg x RDS(on)-Betriebsverhalten als OptiMOS 5. Die Infineon OptiMOS 6 60 V Leistungs-MOSFETs bieten einen höheren Wirkungsgrad und Leistungsdichte in Soft-Switching-Topologien und Applikationen.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
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3.468Auf Lager
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: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 378 A 800 uOhms 20 V 2.3 V 68 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
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3.956Auf Lager
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: 5.000

Si SMD/SMT PG-TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 149 A 2.3 mOhms 20 V 2.3 V 22 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Datenblatt
3.951Auf Lager
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: 5.000

Si SMD/SMT PG-TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 57 A 7.2 mOhms 20 V 3.3 V 12.3 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
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4.200Auf Lager
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: 6.000

Si SMD/SMT PG-WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 60 V 178 mA 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 125 mW Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Datenblatt
4.190Auf Lager
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: 6.000

Si SMD/SMT PG-TSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 178 mA 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 125 mW Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
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2.495Auf Lager
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: 5.000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 344 A 900 uOhms 20 V 3.3 V 97 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Datenblatt
3.951Auf Lager
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: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 143 A 2.5 mOhms 20 V 2.3 V 22 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
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3.465Auf Lager
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: 5.000
Si SMD/SMT PG-TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 137 A 2.5 mOhms 20 V 3.3 V 32 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
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3.457Auf Lager
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: 5.000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 62 A 6 mOhms 20 V 3.3 V 12.4 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power -Transistor, 60 V
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4.204Auf Lager
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: 5.000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power -Transistor, 60 V
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5.000erwartet ab 22.10.2026
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Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
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5.000erwartet ab 24.09.2026
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: 5.000

Si SMD/SMT PG-TSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 178 mA 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 125 mW Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
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5.000erwartet ab 24.09.2026
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Si SMD/SMT PG-TTFN-9 N-Channel 1 Channel 60 V 178 mA 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 125 mW Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
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4.000erwartet ab 27.08.2026
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Si SMD/SMT PG-WSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 344 A 900 uOhms 20 V 3.3 V 121 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement Reel, Cut Tape